Intel: ¿Qué tecnologías tiene en desarrollo la compañía para los próximos cuatro años?

Intel mostró una hoja de ruta con las tecnologías que tiene en desarrollo para los próximos años, entre las que se incluyen las innovaciones de RibbonFET, PowerVia y EUV de Alta NA. Todos los detalles ¡En la nota!

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Intel presentó una hoja de ruta con sus tecnologías en desarrollo para los próximos años. Entre lo más destacado se encuentra RibbonFET, una nueva arquitectura de transistores. También está PowerVia, un nuevo método pionero en la industria en materia de suministro de energía en la parte trasera. Además, encontramos sus planes para el uso de la litografía ultravioleta extrema (EUV en sus siglas en inglés) de próxima generación, conocida como EUV de alta apertura numérica (Alta NA).

“Las innovaciones presentadas hoy, no solo habilitarán la hoja de ruta de productos de la compañía, sino que también serán fundamentales para nuestros clientes de servicios de manufactura”, declaró Pat Gelsinger, CEO de Intel.

Cambios en los nombres de nodos de proceso: Intel 7, Intel 4 e Intel 3

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Intel anunció cambios en los nombres de nodos de proceso. Comienzan por Intel 7, que ofrece un aumento de rendimiento por vatio de 10 a 15% sobre Intel 10nm SuperFin, y se incluirá en productos como Alder Lake para clientes en 2021 y Sapphire Rapids para el centro de datos, que se espera esté en producción para el primer trimestre de 2022.

Por su lado, Intel 4 adopta completamente la litografía EUV e incluye un aumento de rendimiento por vatio de 20%. Estará listo y en producción para el segundo semestre de 2022 en productos que saldrán a la venta en 2023, incluido Meteor Lake para clientes y Granite Rapids para centros de datos.

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En cuanto Intel 3, la compañía menciona que aprovecha aún más las optimizaciones de FinFET y posee un mayor EUV para mejorar el rendimiento por vatio en un 18% sobre Intel 4. Estará listo para fabricarse en productos durante el segundo semestre de 2023.

RibbonFET, PowerVia y EUV de Alta NA para 2025

Intel 20A integrará RibbonFET, un transistor de compuerta envolvente con velocidades conmutación de transistores más rápidas y la misma corriente de impulso que múltiples atletas en un espacio más pequeño. Además, está PowerVia que optimizará la señal de transmisión al eliminar la necesidad de enrutamiento de energía en la parte frontal de la oblea. Se espera que esté listo para 2024.

Pero no es la única novedad, porque más adelante, en el año 2025, la empresa de tecnología prevé lanzar el Intel 18A, actualmente en desarrollo, con mejoras en RibbonFET y la implementación de EUV de Alta NA de próxima generación.

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“Lideramos la transición a silicio deformado a 90nm, a compuertas metálicas High-k a 45nm y a FinFET a 22nm. Intel 20A será otro momento decisivo en la tecnología de procesos con dos innovaciones revolucionarias: RibbonFET y PowerVia”, dijo Ann Kelleher, vicepresidenta senior y gerenta general de Desarrollo de Tecnología.

Empaquetado de IFS

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La empresa también anunció que EMIB todavía lidera la industria como primera solución de puente integrado 2.5D, con envíos de productos desde 2017. Sapphire Rapids será el primer producto de centro de datos de Xeon en enviarse en gran volumen con EMIB. A su vez, la próxima generación de EMIB pasará de un bump pitch de 55 micrones a 45 micrones.

En paralelo, Foveros ofrecerá una solución de apilamiento 3D gracias a las capacidades de empaquetado a nivel de oblea. Meteor Lake será la implementación de segunda generación de Foveros en un producto de cliente, con un bump pitch de 36 micrones mosaicos que abarcan varios nodos de tecnología y un rango de potencia de diseño térmico de 5 a 125W.

Sobre Foveros Omni, presentará flexibilidad ilimitada con tecnología de apilamiento 3D de rendimiento para diseños modulares y de interconexión de matriz a matriz. Esto permitirá la desagregación de matrices y se espera que esté listo para su fabricación en 2023.

Finalmente, Foveros Direct nos muestra la última novedad en términos de empaquetados: pasará a la unión directa de cobre a cobre para interconexiones de baja resistencia y habilitará bump pitches de menos de 10 micrones. Será complementario a Foveros Omni y se espera que esté listo en 2023.

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